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기계 전자 부품 Irfz44nl를 만드는 Hauni Protos Nano Kretek

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기계 전자 부품 Irfz44nl를 만드는 Hauni Protos Nano Kretek
제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: Upperbond
인증: CE, ISO
모델 번호: 만드는 사람
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 2 PC
가격: Negotiable
포장 세부 사항:
배달 시간: 5-8 일
지불 조건: 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램, 페이팔
공급 능력: 10000 PC / 달
접촉
상세 제품 설명
주문형입니다: 긍정 기계 모형: Protos, Passim, MK8, MK9,
바다 수송: 단지 더 큰 주문과 함께 다른 모형: 스코다, CME, 사스입
선적의 항구: 광저우, 상하입니다 담배 지름: 5.4 밀리미터 - 8.0 밀리미터
하이 라이트:

Kretek 만드는 기계 Irfz44nl

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Kretek 만드는 기계 전자 부품

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담배 기계 전자 부품

기계 전자 부품 Irfz44nl를 만드는 Hauni Protos Nano Kretek

 

트랜지스터는 전자 신호 및 전력을 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 반도체 장치입니다.트랜지스터는 현대 전자 제품의 기본 빌딩 블록 중 하나입니다.일반적으로 외부 회로에 연결하기 위한 3개 이상의 단자가 있는 반도체 재료로 구성됩니다.

 

1. 소스-드레인 등급 및 특성

 

  매개변수 일반적으로 최대
~이다 연속 소스 전류(바디 다이오드) 49
주의 펄스 소스 전류(바디 다이오드)① 160
VSD 다이오드 순방향 전압 1.3
트르르 역 회복 시간 63 95
큐르 리버스 리커버리 차지 170 260

 

2. 양극성 접합 트랜지스터

 

최초의 바이폴라 접합 트랜지스터는 1948년 6월 26일 특허(2,569,347)를 출원한 Bell Labs의 William Shockley에 의해 발명되었습니다. 1950년 4월 12일 Bell Labs의 화학자 Gordon Teal과 Morgan Sparks는 작동하는 바이폴라 NPN 접합 증폭을 성공적으로 생산했습니다. 게르마늄 트랜지스터.

 

3. 고주파 트랜지스터

 

최초의 고주파 트랜지스터는 1953년 Philco에서 개발한 표면 장벽 게르마늄 트랜지스터로 최대 60MHz까지 작동할 수 있습니다.이것들은 두께가 1/10000인치가 될 때까지 황산 인듐(III)을 분사하여 양쪽에서 n형 게르마늄 베이스로 함몰부를 식각하여 만들었습니다.함몰부에 전기도금된 인듐은 컬렉터와 에미터를 형성했습니다.

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연락처 세부 사항
HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED

담당자: Kiana

전화 번호: +8613824425740

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