담배 포장업자의 아기 표 특대 Irfz44ns 모형 전기 부분

담배 포장업자의 아기 표 특대 Irfz44ns 모형 전기 부분

트랜지스터는 전자 신호 및 전력을 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 반도체 장치입니다.트랜지스터는 현대 전자 제품의 기본 빌딩 블록 중 하나입니다.일반적으로 외부 회로에 연결하기 위한 3개 이상의 단자가 있는 반도체 재료로 구성됩니다.

전력 감소

이미지는 회로의 일반적인 바이폴라 트랜지스터를 나타냅니다.베이스의 전류에 따라 이미터와 컬렉터 단자 사이에 전하가 흐릅니다.내부적으로 베이스와 에미터 연결은 반도체 다이오드처럼 동작하기 때문에 베이스 전류가 존재하는 동안 베이스와 에미터 사이에 전압 강하가 발생합니다.이 전압의 양은 트랜지스터가 만들어지는 재료에 따라 달라지며 VBE라고 합니다.

중요성

트랜지스터는 거의 모든 현대 전자 제품의 핵심 활성 구성 요소입니다.따라서 많은 사람들은 트랜지스터를 20세기의 가장 위대한 발명품 중 하나로 간주합니다.

Bell Labs의 첫 번째 트랜지스터 발명은 2009년 IEEE Milestone으로 명명되었습니다. IEEE Milestones 목록에는 1948년 접합 트랜지스터와 1959년 MOSFET 발명도 포함됩니다.

대량 생산

1950년대에 이집트 엔지니어인 Mohamed Atalla는 Bell Labs에서 실리콘 반도체의 표면 특성을 조사하여 반도체 소자 제조의 새로운 방법을 제안했습니다. 전기가 반도체 층에 도달하는 것을 막는 표면 상태를 극복하는 아래의 실리콘.이것은 표면 패시베이션(Surface Passivation)으로 알려져 있으며, 이는 나중에 실리콘 집적 회로의 대량 생산이 가능해짐에 따라 반도체 산업에 중요하게 된 방법입니다.