기계 전자 부품 Irfz44nl를 만드는 Passim 예비 품목 Kretek

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트랜지스터는 전자 신호 및 전력을 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 반도체 장치입니다.트랜지스터는 현대 전자 제품의 기본 빌딩 블록 중 하나입니다.일반적으로 외부 회로에 연결하기 위한 3개 이상의 단자가 있는 반도체 재료로 구성됩니다.

CMOS

CMOS(상보형 MOS)는 1963년 Fairchild Semiconductor의 Chih-Tang Sah와 Frank Wanlass에 의해 발명되었습니다. 부동 게이트 MOSFET에 대한 첫 번째 보고는 1967년 Dawon Kahng과 Simon Sze에 의해 작성되었습니다. 이중 게이트 MOSFET은 1967년에 처음 시연되었습니다. 1984년 전기 공학 연구소 연구원 세키가와 토시히로와 하야시 유타카

전력 감소

이미지는 회로의 일반적인 바이폴라 트랜지스터를 나타냅니다.베이스의 전류에 따라 이미터와 컬렉터 단자 사이에 전하가 흐릅니다.내부적으로 베이스와 에미터 연결은 반도체 다이오드처럼 동작하기 때문에 베이스 전류가 존재하는 동안 베이스와 에미터 사이에 전압 강하가 발생합니다.이 전압의 양은 트랜지스터가 만들어지는 재료에 따라 달라지며 VBE라고 합니다.

기구

트랜지스터의 한 쌍의 단자에 적용된 전압 또는 전류는 다른 한 쌍의 단자를 통해 흐르는 전류를 제어합니다.제어(출력) 전력이 제어(입력) 전력보다 높을 수 있으므로 트랜지스터는 신호를 증폭할 수 있습니다.오늘날 일부 트랜지스터는 개별적으로 패키징되지만 더 많은 트랜지스터가 집적 회로에 내장되어 있습니다.