전기 D2PAK Mosfet Irfz44ns 여러 곳에 담배용 기계 예비품

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트랜지스터는 전자 신호와 전력을 확대하거나 바꾸는데 사용된 반도체 디바이스입니다. 트랜지스터는 현대 전자 공학의 기본 구성 블록 중 하나입니다. 그것은 보통 적어도 3의 외부흐름길로의 접합부를 위한 단말기로 반도체 물질로 구성됩니다.

전압 강하

이미지는 전형적 바이폴라 트랜지스터를 회로에서 표현합니다. 요금은 기지에서 전류에 따라 방출기와 컬렉터 단자 사이에 흘러나올 것입니다. 내부로 토대와 방출기 접속이 반도체 다이오드처럼 작용하기 때문에, 베이스 전류가 존재하는 동안 전압 강하는 토대와 방출기 사이에 발달합니다. 이 전압의 양은 트랜지스터가 만들어지고, VBE로서 참고되는 물질에 의존합니다.

MOSFET

또한 MOS 트랜지스터로 알려진 금속 산화물 반도체 전계 효과 트렌지스터 (MOSFET)가 1959년에 모하메드 아탈라와 다원 칸그에 의해 발명되었습니다. MOSFET은 사용의 넓은 범위에 대해 소형화되고 대량 생산될 수 있는 첫번째 참으로 소형 트랜지스터였습니다. 양극 접합 트랜지스터 보다 그것의 높은 확장성과 매우 낮은 소비 전력과 더 높은 밀도와 함께, MOSFET은 단일 ic에서 10,000개 트랜지스터 이상의 통합을 허용하면서, 고밀도 집적 회로를 구축하는 것을 가능하게 했습니다.

고주파 트랜지스터

첫번째 고주파 트랜지스터는 최고 60까지 마하즈를 운영할 수 있는 1953년에 필코의 개발된 표면 장벽 게르마늄 트랜지스터였습니다. 그것이 인치 두께 중 소수의 10/1000이었을 때까지 이것들은 인듐(III) 황산염의 분사와 양쪽으로부터 n형 게르마늄 토대 안으로 식각 불황에 의해 만들어졌습니다. 불황 안으로 전해도금된 인듐은 수집기와 방출기를 형성했습니다.