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제품 세부 정보

Created with Pixso. Created with Pixso. 상품 Created with Pixso.
손심 담배 기계 예비 품목
Created with Pixso. MK8 조립 섹션 고급 공정 기술 담배 제조기 트랜지스터

MK8 조립 섹션 고급 공정 기술 담배 제조기 트랜지스터

브랜드 이름: Upperbond
모델 번호: 만드는 사람
MOQ: 2 PC
가격: 협상 가능
배달 시간: 5-8 일
지불 조건: 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램, 페이팔
자세한 정보
원래 장소:
중국
인증:
CE, ISO
운송 용어:
EXW, FOB, CFR, CIF
담배 크기:
특대/최고/Nano 체중을 줄이십시오
녹 증거:
확보됩니다
상태:
브랜드 뉴
서비스:
ODM/OEM
정확도:
대단히 정확합니다
포장 세부 사항:
공급 능력:
10000 PC / 달
강조하다:

담배 만드는 기계 트랜지스터

,

MK8 담배 기계 트랜지스터

제품 설명

MK8 조립 섹션 고급 공정 기술 담배 제조기 트랜지스터

 

트랜지스터는 전자 신호 및 전력을 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 반도체 장치입니다.트랜지스터는 현대 전자 제품의 기본 빌딩 블록 중 하나입니다.일반적으로 외부 회로에 연결하기 위한 3개 이상의 단자가 있는 반도체 재료로 구성됩니다.

 

 

 

1. 메커니즘

 

트랜지스터의 한 쌍의 단자에 적용된 전압 또는 전류는 다른 한 쌍의 단자를 통해 흐르는 전류를 제어합니다.제어(출력) 전력이 제어(입력) 전력보다 높을 수 있으므로 트랜지스터는 신호를 증폭할 수 있습니다.오늘날 일부 트랜지스터는 개별적으로 패키징되지만 더 많은 트랜지스터가 집적 회로에 내장되어 있습니다.

 

1. IRFZ44NS/LPbF

 

  매개변수 최소
V(BR)DSS 드레인-소스 항복 전압 55
△V(BR)DSS 仏 Tj 고장 전압 온도계수
RDS(켜기) 정적 드레인-소스 온 저항
VGS(일) 게이트 임계 전압 2.0
gts 순방향 트랜스컨덕턴스 19
bss 드레인-소스 누설 전류
상실 게이트-소스 순방향 누출
게이트-소스 역 누설
Qg 총 게이트 요금
Qgs 게이트-투-소스 요금
Qgd 게이트-투-드레인("밀러") 차지

 

 

1. 절대 최대 등급

 

  매개변수 최대 단위
ID @ Tq = 25°C 연속 드레인 전류, Vgs @ 10V 49 NS
LD @ Tc = 100°C 연속 드레인 전류, Vgs @ 10V 35
이드엠 펄스 드레인 전류 ① 160
PD @Ta = 25°C 전력 소모 3.8
PD @TC = 25°C 전력 소모 94
  선형 경감 계수 0.63 W/°C
Vgs 게이트-소스 전압 ±20 V
이아르 눈사태 전류① 25 NS
반복적인 Avalanche Energy® 9.4 엠제이
dv/dt 피크 다이오드 복구 dv/dt ③ 5.0 V/ns
티지 작동 정션 및 -55 ~ + 175 °C

 


MK8 조립 섹션 고급 공정 기술 담배 제조기 트랜지스터 0

 

 

 

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Created with Pixso. MK8 조립 섹션 고급 공정 기술 담배 제조기 트랜지스터

MK8 조립 섹션 고급 공정 기술 담배 제조기 트랜지스터

브랜드 이름: Upperbond
모델 번호: 만드는 사람
MOQ: 2 PC
가격: 협상 가능
포장에 대한 세부 사항:
지불 조건: 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램, 페이팔
자세한 정보
원래 장소:
중국
브랜드 이름:
Upperbond
인증:
CE, ISO
모델 번호:
만드는 사람
운송 용어:
EXW, FOB, CFR, CIF
담배 크기:
특대/최고/Nano 체중을 줄이십시오
녹 증거:
확보됩니다
상태:
브랜드 뉴
서비스:
ODM/OEM
정확도:
대단히 정확합니다
최소 주문 수량:
2 PC
가격:
협상 가능
포장 세부 사항:
배달 시간:
5-8 일
지불 조건:
전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램, 페이팔
공급 능력:
10000 PC / 달
강조하다:

담배 만드는 기계 트랜지스터

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제품 설명

MK8 조립 섹션 고급 공정 기술 담배 제조기 트랜지스터

 

트랜지스터는 전자 신호 및 전력을 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 반도체 장치입니다.트랜지스터는 현대 전자 제품의 기본 빌딩 블록 중 하나입니다.일반적으로 외부 회로에 연결하기 위한 3개 이상의 단자가 있는 반도체 재료로 구성됩니다.

 

 

 

1. 메커니즘

 

트랜지스터의 한 쌍의 단자에 적용된 전압 또는 전류는 다른 한 쌍의 단자를 통해 흐르는 전류를 제어합니다.제어(출력) 전력이 제어(입력) 전력보다 높을 수 있으므로 트랜지스터는 신호를 증폭할 수 있습니다.오늘날 일부 트랜지스터는 개별적으로 패키징되지만 더 많은 트랜지스터가 집적 회로에 내장되어 있습니다.

 

1. IRFZ44NS/LPbF

 

  매개변수 최소
V(BR)DSS 드레인-소스 항복 전압 55
△V(BR)DSS 仏 Tj 고장 전압 온도계수
RDS(켜기) 정적 드레인-소스 온 저항
VGS(일) 게이트 임계 전압 2.0
gts 순방향 트랜스컨덕턴스 19
bss 드레인-소스 누설 전류
상실 게이트-소스 순방향 누출
게이트-소스 역 누설
Qg 총 게이트 요금
Qgs 게이트-투-소스 요금
Qgd 게이트-투-드레인("밀러") 차지

 

 

1. 절대 최대 등급

 

  매개변수 최대 단위
ID @ Tq = 25°C 연속 드레인 전류, Vgs @ 10V 49 NS
LD @ Tc = 100°C 연속 드레인 전류, Vgs @ 10V 35
이드엠 펄스 드레인 전류 ① 160
PD @Ta = 25°C 전력 소모 3.8
PD @TC = 25°C 전력 소모 94
  선형 경감 계수 0.63 W/°C
Vgs 게이트-소스 전압 ±20 V
이아르 눈사태 전류① 25 NS
반복적인 Avalanche Energy® 9.4 엠제이
dv/dt 피크 다이오드 복구 dv/dt ③ 5.0 V/ns
티지 작동 정션 및 -55 ~ + 175 °C

 


MK8 조립 섹션 고급 공정 기술 담배 제조기 트랜지스터 0