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제품 세부 정보

Created with Pixso. Created with Pixso. 상품 Created with Pixso.
손심 담배 기계 예비 품목
Created with Pixso. Molins MK9 모델 스루홀 버전 Mosfet Irfz44ns for Kretek 기계

Molins MK9 모델 스루홀 버전 Mosfet Irfz44ns for Kretek 기계

브랜드 이름: Upperbond
모델 번호: 만드는 사람
MOQ: 2개
가격: 협상 가능
배달 시간: 5-8일
지불 조건: T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램, 페이팔
자세한 정보
원래 장소:
중국
인증:
CE, ISO
담배 지름:
5.4mm - 8.0mm
색상:
그레이/실버
선적항:
광저우, 상하이
적용 가능한 기계:
담배 제조기
기계 모델:
프로토스, 파심, MK8, MK9,
상태:
아주 새로운
포장 세부 사항:
판지 상자
공급 능력:
10000 PC/월
강조하다:

Kretek 기계용 Irfz44ns

,

담배 기계 Irfz44ns

,

MK9 담배 기계 트랜지스터

제품 설명

Molins MK9 모델 스루홀 버전 Mosfet Irfz44ns for Kretek 기계

 

 

트랜지스터는 전자 신호 및 전력을 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 반도체 장치입니다.트랜지스터는 현대 전자 제품의 기본 빌딩 블록 중 하나입니다.일반적으로 외부 회로에 연결하기 위한 3개 이상의 단자가 있는 반도체 재료로 구성됩니다.

 

 

소스-드레인 등급 및 특성

 

  매개변수 일반적으로 최대
~이다 연속 소스 전류(바디 다이오드) 49
주의 펄스 소스 전류(바디 다이오드)① 160
VSD 다이오드 순방향 전압 1.3
트르르 역 회복 시간 63 95
큐르 리버스 리커버리 차지 170 260

 

 

포켓 트랜지스터 라디오

 

최초의 "프로토타입" 포켓 트랜지스터 라디오는 1953년 8월 29일과 1953년 9월 6일 사이에 Internationale Funkausstellung Düsseldorf에서 INTERMETALL(1952년 Herbert Mataré가 설립한 회사)에 의해 전시되었습니다. 최초의 "생산" 포켓 트랜지스터 라디오는 Regency TR이었습니다. -1, 1954년 10월 발매.

 

 

대량 생산

 

1950년대에 이집트 엔지니어인 Mohamed Atalla는 Bell Labs에서 실리콘 반도체의 표면 특성을 조사하여 반도체 소자 제조의 새로운 방법을 제안했습니다. 전기가 반도체 층에 도달하는 것을 막는 표면 상태를 극복하는 아래의 실리콘.이것은 표면 패시베이션(Surface Passivation)으로 알려져 있으며, 이는 나중에 실리콘 집적 회로의 대량 생산이 가능해짐에 따라 반도체 산업에 중요하게 된 방법입니다.

Molins MK9 모델 스루홀 버전 Mosfet Irfz44ns for Kretek 기계 0

 

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브랜드 이름: Upperbond
모델 번호: 만드는 사람
MOQ: 2개
가격: 협상 가능
포장에 대한 세부 사항: 판지 상자
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원래 장소:
중국
브랜드 이름:
Upperbond
인증:
CE, ISO
모델 번호:
만드는 사람
담배 지름:
5.4mm - 8.0mm
색상:
그레이/실버
선적항:
광저우, 상하이
적용 가능한 기계:
담배 제조기
기계 모델:
프로토스, 파심, MK8, MK9,
상태:
아주 새로운
최소 주문 수량:
2개
가격:
협상 가능
포장 세부 사항:
판지 상자
배달 시간:
5-8일
지불 조건:
T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램, 페이팔
공급 능력:
10000 PC/월
강조하다:

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,

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,

MK9 담배 기계 트랜지스터

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Molins MK9 모델 스루홀 버전 Mosfet Irfz44ns for Kretek 기계

 

 

트랜지스터는 전자 신호 및 전력을 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 반도체 장치입니다.트랜지스터는 현대 전자 제품의 기본 빌딩 블록 중 하나입니다.일반적으로 외부 회로에 연결하기 위한 3개 이상의 단자가 있는 반도체 재료로 구성됩니다.

 

 

소스-드레인 등급 및 특성

 

  매개변수 일반적으로 최대
~이다 연속 소스 전류(바디 다이오드) 49
주의 펄스 소스 전류(바디 다이오드)① 160
VSD 다이오드 순방향 전압 1.3
트르르 역 회복 시간 63 95
큐르 리버스 리커버리 차지 170 260

 

 

포켓 트랜지스터 라디오

 

최초의 "프로토타입" 포켓 트랜지스터 라디오는 1953년 8월 29일과 1953년 9월 6일 사이에 Internationale Funkausstellung Düsseldorf에서 INTERMETALL(1952년 Herbert Mataré가 설립한 회사)에 의해 전시되었습니다. 최초의 "생산" 포켓 트랜지스터 라디오는 Regency TR이었습니다. -1, 1954년 10월 발매.

 

 

대량 생산

 

1950년대에 이집트 엔지니어인 Mohamed Atalla는 Bell Labs에서 실리콘 반도체의 표면 특성을 조사하여 반도체 소자 제조의 새로운 방법을 제안했습니다. 전기가 반도체 층에 도달하는 것을 막는 표면 상태를 극복하는 아래의 실리콘.이것은 표면 패시베이션(Surface Passivation)으로 알려져 있으며, 이는 나중에 실리콘 집적 회로의 대량 생산이 가능해짐에 따라 반도체 산업에 중요하게 된 방법입니다.

Molins MK9 모델 스루홀 버전 Mosfet Irfz44ns for Kretek 기계 0