|
|
| 브랜드 이름: | Upperbond |
| 모델 번호: | 만드는 사람 |
| MOQ: | 2개 |
| 가격: | 협상 가능 |
| 배달 시간: | 5-8일 |
| 지불 조건: | T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램, 페이팔 |
Hauni Protos Nano 스루홀 버전 Mosfet Irfz44ns for Kretek 기계
실리콘 트랜지스터
최초의 작동하는 실리콘 트랜지스터는 1954년 1월 26일 Morris Tanenbaum에 의해 Bell 연구소에서 개발되었습니다.최초의 상용 실리콘 트랜지스터는 1954년 Texas Instruments에서 생산되었습니다. 이것은 이전에 Bell Labs에서 일했던 고순도 결정 성장 전문가인 Gordon Teal의 작업이었습니다.
고주파 트랜지스터
최초의 고주파 트랜지스터는 1953년 Philco에서 개발한 표면 장벽 게르마늄 트랜지스터로 최대 60MHz까지 작동할 수 있습니다.이것들은 두께가 1/10000인치가 될 때까지 황산 인듐(III)을 분사하여 양쪽에서 n형 게르마늄 베이스로 함몰부를 식각하여 만들었습니다.함몰부에 전기도금된 인듐은 컬렉터와 에미터를 형성했습니다.
점 접촉 트랜지스터
1948년, 독일 물리학자 Herbert Mataré와 Heinrich Welker가 파리에 위치한 Westinghouse 자회사인 Compagnie des Freins et Signaux Westinghouse에서 일하면서 점 접촉 트랜지스터를 독자적으로 발명했습니다.Mataré는 제2차 세계 대전 중 독일 레이더 연구에서 실리콘과 게르마늄으로 수정 정류기를 개발한 경험이 있습니다.이 지식을 사용하여 그는 1947년에 "간섭" 현상을 연구하기 시작했습니다.
비디오
비디오
비디오
비디오
비디오
비디오
|
| 브랜드 이름: | Upperbond |
| 모델 번호: | 만드는 사람 |
| MOQ: | 2개 |
| 가격: | 협상 가능 |
| 포장에 대한 세부 사항: | 판지 상자 |
| 지불 조건: | T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램, 페이팔 |
Hauni Protos Nano 스루홀 버전 Mosfet Irfz44ns for Kretek 기계
실리콘 트랜지스터
최초의 작동하는 실리콘 트랜지스터는 1954년 1월 26일 Morris Tanenbaum에 의해 Bell 연구소에서 개발되었습니다.최초의 상용 실리콘 트랜지스터는 1954년 Texas Instruments에서 생산되었습니다. 이것은 이전에 Bell Labs에서 일했던 고순도 결정 성장 전문가인 Gordon Teal의 작업이었습니다.
고주파 트랜지스터
최초의 고주파 트랜지스터는 1953년 Philco에서 개발한 표면 장벽 게르마늄 트랜지스터로 최대 60MHz까지 작동할 수 있습니다.이것들은 두께가 1/10000인치가 될 때까지 황산 인듐(III)을 분사하여 양쪽에서 n형 게르마늄 베이스로 함몰부를 식각하여 만들었습니다.함몰부에 전기도금된 인듐은 컬렉터와 에미터를 형성했습니다.
점 접촉 트랜지스터
1948년, 독일 물리학자 Herbert Mataré와 Heinrich Welker가 파리에 위치한 Westinghouse 자회사인 Compagnie des Freins et Signaux Westinghouse에서 일하면서 점 접촉 트랜지스터를 독자적으로 발명했습니다.Mataré는 제2차 세계 대전 중 독일 레이더 연구에서 실리콘과 게르마늄으로 수정 정류기를 개발한 경험이 있습니다.이 지식을 사용하여 그는 1947년에 "간섭" 현상을 연구하기 시작했습니다.
비디오
비디오
비디오
비디오
비디오
비디오
