|
|
| 브랜드 이름: | Upperbond |
| 모델 번호: | 만드는 사람 |
| MOQ: | 2개 |
| 가격: | 협상 가능 |
| 배달 시간: | 5-8일 |
| 지불 조건: | T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램, 페이팔 |
최대 최고 호리호리한 실리콘 트랜지스터 D2PAK 담배 포장기 부속
트랜지스터는 전자 신호 및 전력을 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 반도체 장치입니다.트랜지스터는 현대 전자 제품의 기본 빌딩 블록 중 하나입니다.일반적으로 외부 회로에 연결하기 위한 3개 이상의 단자가 있는 반도체 재료로 구성됩니다.
IRFZ44NS/LPbF
| 매개변수 | 최소 | |
| V(BR)DSS | 드레인-소스 항복 전압 | 55 |
| △V(BR)DSS 仏 Tj | 고장 전압 온도계수 | — |
| RDS(켜기) | 정적 드레인-소스 온 저항 | — |
| VGS(일) | 게이트 임계 전압 | 2.0 |
| gts | 순방향 트랜스컨덕턴스 | 19 |
| bss | 드레인-소스 누설 전류 | — |
| — | ||
| 상실 | 게이트-소스 순방향 누출 | — |
| 게이트-소스 역 누설 | — | |
| Qg | 총 게이트 요금 | — |
| Qgs | 게이트-투-소스 요금 | — |
| Qgd | 게이트-투-드레인("밀러") 차지 | — |
| td(켜기) | 켜기 지연 시간 | — |
| 트르 | 상승 시간 | — |
| td(꺼짐) | 끄기 지연 시간 | — |
| tf | 가을 시간 | — |
| 엘 | 내부 소스 인덕턴스 | — |
| 씨즈 | 입력 커패시턴스 | — |
| 코스 | 출력 커패시턴스 | — |
| 십자가 | 역전사 커패시턴스 | — |
| 이스 | 단일 펄스 Avalanche Energy® | — |
네이밍
트랜지스터라는 용어는 존 R. 피어스가 트랜스저항이라는 용어의 축약형으로 만들었습니다.John Bardeen의 전기 저자인 Lillian Hoddeson과 Vicki Daitch에 따르면 Shockley는 Bell Labs의 트랜지스터에 대한 첫 번째 특허가 전계 효과에 기반해야 하며 자신이 발명가로 지명되어야 한다고 제안했습니다.
고주파 트랜지스터
최초의 고주파 트랜지스터는 1953년 Philco에서 개발한 표면 장벽 게르마늄 트랜지스터로 최대 60MHz까지 작동할 수 있습니다.이것들은 두께가 1/10000인치가 될 때까지 황산 인듐(III)을 분사하여 양쪽에서 n형 게르마늄 베이스로 함몰부를 식각하여 만들었습니다.함몰부에 전기도금된 인듐은 컬렉터와 에미터를 형성했습니다.
비디오
비디오
비디오
비디오
비디오
비디오
비디오
|
| 브랜드 이름: | Upperbond |
| 모델 번호: | 만드는 사람 |
| MOQ: | 2개 |
| 가격: | 협상 가능 |
| 포장에 대한 세부 사항: | 판지 상자 |
| 지불 조건: | T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램, 페이팔 |
최대 최고 호리호리한 실리콘 트랜지스터 D2PAK 담배 포장기 부속
트랜지스터는 전자 신호 및 전력을 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 반도체 장치입니다.트랜지스터는 현대 전자 제품의 기본 빌딩 블록 중 하나입니다.일반적으로 외부 회로에 연결하기 위한 3개 이상의 단자가 있는 반도체 재료로 구성됩니다.
IRFZ44NS/LPbF
| 매개변수 | 최소 | |
| V(BR)DSS | 드레인-소스 항복 전압 | 55 |
| △V(BR)DSS 仏 Tj | 고장 전압 온도계수 | — |
| RDS(켜기) | 정적 드레인-소스 온 저항 | — |
| VGS(일) | 게이트 임계 전압 | 2.0 |
| gts | 순방향 트랜스컨덕턴스 | 19 |
| bss | 드레인-소스 누설 전류 | — |
| — | ||
| 상실 | 게이트-소스 순방향 누출 | — |
| 게이트-소스 역 누설 | — | |
| Qg | 총 게이트 요금 | — |
| Qgs | 게이트-투-소스 요금 | — |
| Qgd | 게이트-투-드레인("밀러") 차지 | — |
| td(켜기) | 켜기 지연 시간 | — |
| 트르 | 상승 시간 | — |
| td(꺼짐) | 끄기 지연 시간 | — |
| tf | 가을 시간 | — |
| 엘 | 내부 소스 인덕턴스 | — |
| 씨즈 | 입력 커패시턴스 | — |
| 코스 | 출력 커패시턴스 | — |
| 십자가 | 역전사 커패시턴스 | — |
| 이스 | 단일 펄스 Avalanche Energy® | — |
네이밍
트랜지스터라는 용어는 존 R. 피어스가 트랜스저항이라는 용어의 축약형으로 만들었습니다.John Bardeen의 전기 저자인 Lillian Hoddeson과 Vicki Daitch에 따르면 Shockley는 Bell Labs의 트랜지스터에 대한 첫 번째 특허가 전계 효과에 기반해야 하며 자신이 발명가로 지명되어야 한다고 제안했습니다.
고주파 트랜지스터
최초의 고주파 트랜지스터는 1953년 Philco에서 개발한 표면 장벽 게르마늄 트랜지스터로 최대 60MHz까지 작동할 수 있습니다.이것들은 두께가 1/10000인치가 될 때까지 황산 인듐(III)을 분사하여 양쪽에서 n형 게르마늄 베이스로 함몰부를 식각하여 만들었습니다.함몰부에 전기도금된 인듐은 컬렉터와 에미터를 형성했습니다.
비디오
비디오
비디오
비디오
비디오
비디오
비디오
