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제품 세부 정보

Created with Pixso. Created with Pixso. 상품 Created with Pixso.
HLP 담배 기계 부속
Created with Pixso. 구멍 버전 Mosfet Irfz44ns HLP 담배 기계 부속을 통해서

구멍 버전 Mosfet Irfz44ns HLP 담배 기계 부속을 통해서

브랜드 이름: Upperbond
모델 번호: 만드는 사람
MOQ: 2개
가격: 협상 가능
배달 시간: 5-8일
지불 조건: T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램, 페이팔
자세한 정보
원래 장소:
중국
인증:
CE, ISO
화물:
Aramex, DHL, 페덱스, TNT 등
색상:
그레이/실버
기타 모델:
스코다, CME, 사십
해상 운송:
대량 주문 시에만
상표:
어퍼본드
사용자 정의 가능:
긍정적 인
포장 세부 사항:
판지 상자
공급 능력:
10000 PC/월
강조하다:

담배 기계 부품 트랜지스터

,

HLP 담배 기계 부품 트랜지스터

,

담배 기계 부품 Irfz44ns

제품 설명

구멍 버전 Mosfet Irfz44ns HLP 담배 기계 부속을 통해서

 

 

트랜지스터는 전자 신호 및 전력을 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 반도체 장치입니다.트랜지스터는 현대 전자 제품의 기본 빌딩 블록 중 하나입니다.일반적으로 외부 회로에 연결하기 위한 최소 3개의 단자가 있는 반도체 재료로 구성됩니다.

 

 

 

고주파 트랜지스터

 

최초의 고주파 트랜지스터는 1953년 Philco에서 개발한 표면 장벽 게르마늄 트랜지스터로 최대 60MHz까지 작동할 수 있습니다.이것들은 두께가 1/10,000인치가 될 때까지 황산 인듐(III)을 분사하여 양쪽에서 n형 게르마늄 베이스로 함몰부를 식각하여 만들었습니다.함몰부에 전기도금된 인듐은 컬렉터와 에미터를 형성했습니다.

 

 

네이밍

 

트랜지스터라는 용어는 존 R. 피어스가 트랜스저항이라는 용어의 축약형으로 만들었습니다.John Bardeen의 전기 저자인 Lillian Hoddeson과 Vicki Daitch에 따르면, Shockley는 Bell Labs의 트랜지스터에 대한 첫 번째 특허가 전계 효과에 기반해야 하며 자신이 발명가로 지명되어야 한다고 제안했습니다.

 

 

IRFZ44NS/LPbF

 

  매개변수 최소
V(BR)DSS 드레인-소스 항복 전압 55
△V(BR)DSS 仏 Tj 고장 전압 온도계수
RDS(켜기) 정적 드레인-소스 온 저항
VGS(일) 게이트 임계 전압 2.0
gts 순방향 트랜스컨덕턴스 19
BSSS 드레인-소스 누설 전류
손실 게이트-소스 순방향 누출
게이트-소스 역 누설
Qg 총 게이트 요금
Qgs 게이트-투-소스 요금
Qgd 게이트-투-드레인("밀러") 차지
td(켜기) 켜기 지연 시간
트르 상승 시간
td(꺼짐) 끄기 지연 시간
tf 가을 시간
내부 소스 인덕턴스
씨즈 입력 커패시턴스
코스 출력 커패시턴스
십자가 역전사 커패시턴스
이스 단일 펄스 Avalanche Energy®

구멍 버전 Mosfet Irfz44ns HLP 담배 기계 부속을 통해서 0

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HLP 담배 기계 부속
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구멍 버전 Mosfet Irfz44ns HLP 담배 기계 부속을 통해서

브랜드 이름: Upperbond
모델 번호: 만드는 사람
MOQ: 2개
가격: 협상 가능
포장에 대한 세부 사항: 판지 상자
지불 조건: T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램, 페이팔
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원래 장소:
중국
브랜드 이름:
Upperbond
인증:
CE, ISO
모델 번호:
만드는 사람
화물:
Aramex, DHL, 페덱스, TNT 등
색상:
그레이/실버
기타 모델:
스코다, CME, 사십
해상 운송:
대량 주문 시에만
상표:
어퍼본드
사용자 정의 가능:
긍정적 인
최소 주문 수량:
2개
가격:
협상 가능
포장 세부 사항:
판지 상자
배달 시간:
5-8일
지불 조건:
T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램, 페이팔
공급 능력:
10000 PC/월
강조하다:

담배 기계 부품 트랜지스터

,

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,

담배 기계 부품 Irfz44ns

제품 설명

구멍 버전 Mosfet Irfz44ns HLP 담배 기계 부속을 통해서

 

 

트랜지스터는 전자 신호 및 전력을 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 반도체 장치입니다.트랜지스터는 현대 전자 제품의 기본 빌딩 블록 중 하나입니다.일반적으로 외부 회로에 연결하기 위한 최소 3개의 단자가 있는 반도체 재료로 구성됩니다.

 

 

 

고주파 트랜지스터

 

최초의 고주파 트랜지스터는 1953년 Philco에서 개발한 표면 장벽 게르마늄 트랜지스터로 최대 60MHz까지 작동할 수 있습니다.이것들은 두께가 1/10,000인치가 될 때까지 황산 인듐(III)을 분사하여 양쪽에서 n형 게르마늄 베이스로 함몰부를 식각하여 만들었습니다.함몰부에 전기도금된 인듐은 컬렉터와 에미터를 형성했습니다.

 

 

네이밍

 

트랜지스터라는 용어는 존 R. 피어스가 트랜스저항이라는 용어의 축약형으로 만들었습니다.John Bardeen의 전기 저자인 Lillian Hoddeson과 Vicki Daitch에 따르면, Shockley는 Bell Labs의 트랜지스터에 대한 첫 번째 특허가 전계 효과에 기반해야 하며 자신이 발명가로 지명되어야 한다고 제안했습니다.

 

 

IRFZ44NS/LPbF

 

  매개변수 최소
V(BR)DSS 드레인-소스 항복 전압 55
△V(BR)DSS 仏 Tj 고장 전압 온도계수
RDS(켜기) 정적 드레인-소스 온 저항
VGS(일) 게이트 임계 전압 2.0
gts 순방향 트랜스컨덕턴스 19
BSSS 드레인-소스 누설 전류
손실 게이트-소스 순방향 누출
게이트-소스 역 누설
Qg 총 게이트 요금
Qgs 게이트-투-소스 요금
Qgd 게이트-투-드레인("밀러") 차지
td(켜기) 켜기 지연 시간
트르 상승 시간
td(꺼짐) 끄기 지연 시간
tf 가을 시간
내부 소스 인덕턴스
씨즈 입력 커패시턴스
코스 출력 커패시턴스
십자가 역전사 커패시턴스
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