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트랜지스터는 전자 신호와 전력을 확대하거나 바꾸는데 사용된 반도체 디바이스입니다. 트랜지스터는 현대 전자 공학의 기본 구성 블록 중 하나입니다. 그것은 보통 적어도 3의 외부흐름길로의 접합부를 위한 단말기로 반도체 물질로 구성됩니다.

중요성

트랜지스터는 실제로 모든 현대 전자 공학의 주요한 활성화된 구성 요소입니다. 많은 이들은 그러므로 트랜지스터를 20세기의 세계사 발명 중 하나라고 생각합니다.

벨 연구소에 있는 제 1트랜지스터의 발명은 2009년에 IEEE 이정표로 명명되었습니다. IEEE 이정표의 목록은 또한 접합형 트랜지스터의 발명을 1959년에서의 1948년과 MOSFET에 포함시킵니다.

실리콘 트랜지스터

첫번째 일하는 실리콘 트랜지스터는 모리스 타넨바움에 의해, 1954년 1월 26일에 벨 연구소에 개발되었습니다. 첫번째 상업적 실리콘 트랜지스터는 1954년에 텍사스 인스트루먼츠 사에 의해 생산되었습니다. 이것은 고든 청록색의 작업, 이전에 벨 연구소에 일했었던 고순도의 크리스탈을 성장하는 것에 전문가였습니다.

양극 접합 트랜지스터

첫번째 양극 접합 트랜지스터는 1948년 6월 26일에 특허 (2,569,347)를 신청한 벨 연구소의 윌리엄 쇼클리에 의해 발명되었습니다. 1950년 4월 12일에, 벨 연구소 약사들 고든 청록색과 모건 스파크는 성공적으로 일하는 양극 NPN 결합 증폭 게르마늄 트랜지스터를 생산했습니다.