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제품 세부 정보

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GDX2 포장업자 기계 예비 품목
Created with Pixso. 디지털 방식으로 실리콘 트랜지스터 D2PAK 전기 GDX2 포장업자 기계 예비 품목

디지털 방식으로 실리콘 트랜지스터 D2PAK 전기 GDX2 포장업자 기계 예비 품목

브랜드 이름: Upperbond
모델 번호: 만드는 사람
MOQ: 2개
가격: 협상 가능
배달 시간: 5-8일
지불 조건: T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램, 페이팔
자세한 정보
원래 장소:
중국
인증:
CE, ISO
기타 모델:
스코다, CME, 사십
견본:
충전된 경우에만
Qty. 수량 on each machine 각 기계에:
143
위치:
의상
날카로운 모서리:
없음
해상 운송:
대량 주문 시에만
포장 세부 사항:
판지 상자
공급 능력:
10000 PC/월
강조하다:

GDX2 포장 기계 예비 부품

,

GDX2 패커 디지털 실리콘 트랜지스터

,

GDX2 기계 디지털 실리콘 트랜지스터

제품 설명

디지털 방식으로 실리콘 트랜지스터 D2PAK 전기 GDX2 포장업자 기계 예비 품목

 

 

트랜지스터는 전자 신호 및 전력을 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 반도체 장치입니다.트랜지스터는 현대 전자 제품의 기본 빌딩 블록 중 하나입니다.일반적으로 외부 회로에 연결하기 위한 최소 3개의 단자가 있는 반도체 재료로 구성됩니다.

 

 

 

특징

 

• 고급 공정 기술

• 표면 실장(IRFZ44NS)

• 로우 프로파일 스루홀(IRFZ44NL)

• 175°C 작동 온도

• 빠른 전환

• 완전 눈사태 등급

• 무연

 

 

진공관

 

진공관과 비교할 때 트랜지스터는 일반적으로 더 작고 작동하는 데 더 적은 전력이 필요합니다.특정 진공관은 매우 높은 작동 주파수 또는 높은 작동 전압에서 트랜지스터보다 장점이 있습니다.많은 유형의 트랜지스터가 여러 제조업체에서 표준화된 사양으로 만들어집니다.

 

 

 

고주파 트랜지스터

 

최초의 고주파 트랜지스터는 1953년 Philco에서 개발한 표면 장벽 게르마늄 트랜지스터로 최대 60MHz까지 작동할 수 있습니다.이것들은 두께가 1/10,000인치가 될 때까지 황산 인듐(III)을 분사하여 양쪽에서 n형 게르마늄 베이스로 함몰부를 식각하여 만들었습니다.함몰부에 전기도금된 인듐은 컬렉터와 에미터를 형성했습니다.

디지털 방식으로 실리콘 트랜지스터 D2PAK 전기 GDX2 포장업자 기계 예비 품목 0

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브랜드 이름: Upperbond
모델 번호: 만드는 사람
MOQ: 2개
가격: 협상 가능
포장에 대한 세부 사항: 판지 상자
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원래 장소:
중국
브랜드 이름:
Upperbond
인증:
CE, ISO
모델 번호:
만드는 사람
기타 모델:
스코다, CME, 사십
견본:
충전된 경우에만
Qty. 수량 on each machine 각 기계에:
143
위치:
의상
날카로운 모서리:
없음
해상 운송:
대량 주문 시에만
최소 주문 수량:
2개
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협상 가능
포장 세부 사항:
판지 상자
배달 시간:
5-8일
지불 조건:
T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램, 페이팔
공급 능력:
10000 PC/월
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GDX2 포장 기계 예비 부품

,

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,

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디지털 방식으로 실리콘 트랜지스터 D2PAK 전기 GDX2 포장업자 기계 예비 품목

 

 

트랜지스터는 전자 신호 및 전력을 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 반도체 장치입니다.트랜지스터는 현대 전자 제품의 기본 빌딩 블록 중 하나입니다.일반적으로 외부 회로에 연결하기 위한 최소 3개의 단자가 있는 반도체 재료로 구성됩니다.

 

 

 

특징

 

• 고급 공정 기술

• 표면 실장(IRFZ44NS)

• 로우 프로파일 스루홀(IRFZ44NL)

• 175°C 작동 온도

• 빠른 전환

• 완전 눈사태 등급

• 무연

 

 

진공관

 

진공관과 비교할 때 트랜지스터는 일반적으로 더 작고 작동하는 데 더 적은 전력이 필요합니다.특정 진공관은 매우 높은 작동 주파수 또는 높은 작동 전압에서 트랜지스터보다 장점이 있습니다.많은 유형의 트랜지스터가 여러 제조업체에서 표준화된 사양으로 만들어집니다.

 

 

 

고주파 트랜지스터

 

최초의 고주파 트랜지스터는 1953년 Philco에서 개발한 표면 장벽 게르마늄 트랜지스터로 최대 60MHz까지 작동할 수 있습니다.이것들은 두께가 1/10,000인치가 될 때까지 황산 인듐(III)을 분사하여 양쪽에서 n형 게르마늄 베이스로 함몰부를 식각하여 만들었습니다.함몰부에 전기도금된 인듐은 컬렉터와 에미터를 형성했습니다.

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