담배 포장업자 Nano Irfz44ns 담배 기계장치 예비 품목의 전기 부품

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트랜지스터는 전자 신호 및 전력을 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 반도체 장치입니다.트랜지스터는 현대 전자 제품의 기본 빌딩 블록 중 하나입니다.일반적으로 외부 회로에 연결하기 위한 최소 3개의 단자가 있는 반도체 재료로 구성됩니다.

대량 생산

1950년대에 이집트 엔지니어인 Mohamed Atalla는 Bell Labs에서 실리콘 반도체의 표면 특성을 조사했으며, 그곳에서 그는 전기가 안정적으로 전도체에 침투할 수 있도록 실리콘 산화물의 절연층으로 실리콘 웨이퍼를 코팅하는 반도체 장치 제조의 새로운 방법을 제안했습니다. 전기가 반도체 층에 도달하는 것을 막는 표면 상태를 극복하는 아래의 실리콘.이것은 표면 패시베이션(Surface Passivation)으로 알려져 있으며, 나중에 실리콘 집적 회로의 대량 생산이 가능해짐에 따라 반도체 산업에 중요하게 된 방법입니다.

양극성 접합 트랜지스터

최초의 바이폴라 접합 트랜지스터는 1948년 6월 26일 특허(2,569,347)를 출원한 Bell Labs의 William Shockley에 의해 발명되었습니다. 1950년 4월 12일 Bell Labs의 화학자 Gordon Teal과 Morgan Sparks는 작동하는 바이폴라 NPN 접합 증폭을 성공적으로 생산했습니다. 게르마늄 트랜지스터.

재료

대부분의 트랜지스터는 매우 순수한 실리콘으로 만들어지고 일부는 게르마늄으로 만들어지지만 특정 다른 반도체 재료가 때때로 사용됩니다.트랜지스터는 전계 효과 트랜지스터에서 한 종류의 전하 캐리어만을 가질 수 있고, 바이폴라 접합 트랜지스터 장치에서 두 종류의 전하 캐리어를 가질 수 있습니다.