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| 브랜드 이름: | Upperbond |
| 모델 번호: | 만드는 사람 |
| MOQ: | 2 PC |
| 가격: | 협상 가능 |
| 배달 시간: | 5-8 일 |
| 지불 조건: | 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램, 페이팔 |
아기 표 특대 완전히 눈사태 정격 Kretek MK8 담배 기계 부속
트랜지스터는 전자 신호 및 전력을 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 반도체 장치입니다.트랜지스터는 현대 전자 제품의 기본 빌딩 블록 중 하나입니다.일반적으로 외부 회로에 연결하기 위한 최소 3개의 단자가 있는 반도체 재료로 구성됩니다.
IRFZ44NS/LPbF
| 매개변수 | 최소 | |
| V(BR)DSS | 드레인-소스 항복 전압 | 55 |
| △V(BR)DSS 仏 Tj | 고장 전압 온도계수 | — |
| RDS(켜기) | 정적 드레인-소스 온 저항 | — |
| VGS(일) | 게이트 임계 전압 | 2.0 |
| gts | 순방향 트랜스컨덕턴스 | 19 |
| BSSS | 드레인-소스 누설 전류 | — |
| — | ||
| 손실 | 게이트-소스 순방향 누출 | — |
| 게이트-소스 역 누설 | — | |
| Qg | 총 게이트 요금 | — |
| Qgs | 게이트-투-소스 요금 | — |
| Qgd | 게이트-투-드레인("밀러") 차지 | — |
| td(켜기) | 켜기 지연 시간 | — |
| 트르 | 상승 시간 | — |
| td(꺼짐) | 끄기 지연 시간 | — |
| tf | 가을 시간 | — |
| 엘 | 내부 소스 인덕턴스 | — |
| 씨즈 | 입력 커패시턴스 | — |
| 코스 | 출력 커패시턴스 | — |
| 십자가 | 역전사 커패시턴스 | — |
| 이스 | 단일 펄스 Avalanche Energy® | — |
장점
트랜지스터의 저렴한 비용, 유연성 및 신뢰성으로 인해 트랜지스터는 유비쿼터스 장치가 되었습니다.트랜지스터화된 메카트로닉 회로는 기기 및 기계를 제어하는 전자기계 장치를 대체했습니다.동일한 기능을 제어하는 동등한 기계 시스템을 설계하는 것보다 표준 마이크로컨트롤러를 사용하고 제어 기능을 수행하는 컴퓨터 프로그램을 작성하는 것이 종종 더 쉽고 저렴합니다.
실리콘 트랜지스터
최초의 작동하는 실리콘 트랜지스터는 1954년 1월 26일 Morris Tanenbaum에 의해 Bell 연구소에서 개발되었습니다.최초의 상용 실리콘 트랜지스터는 1954년 Texas Instruments에서 생산되었습니다. 이것은 이전에 Bell Labs에서 근무한 고순도 결정 성장 전문가인 Gordon Teal의 작업이었습니다.
비디오
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| 브랜드 이름: | Upperbond |
| 모델 번호: | 만드는 사람 |
| MOQ: | 2 PC |
| 가격: | 협상 가능 |
| 포장에 대한 세부 사항: | 통 |
| 지불 조건: | 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램, 페이팔 |
아기 표 특대 완전히 눈사태 정격 Kretek MK8 담배 기계 부속
트랜지스터는 전자 신호 및 전력을 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 반도체 장치입니다.트랜지스터는 현대 전자 제품의 기본 빌딩 블록 중 하나입니다.일반적으로 외부 회로에 연결하기 위한 최소 3개의 단자가 있는 반도체 재료로 구성됩니다.
IRFZ44NS/LPbF
| 매개변수 | 최소 | |
| V(BR)DSS | 드레인-소스 항복 전압 | 55 |
| △V(BR)DSS 仏 Tj | 고장 전압 온도계수 | — |
| RDS(켜기) | 정적 드레인-소스 온 저항 | — |
| VGS(일) | 게이트 임계 전압 | 2.0 |
| gts | 순방향 트랜스컨덕턴스 | 19 |
| BSSS | 드레인-소스 누설 전류 | — |
| — | ||
| 손실 | 게이트-소스 순방향 누출 | — |
| 게이트-소스 역 누설 | — | |
| Qg | 총 게이트 요금 | — |
| Qgs | 게이트-투-소스 요금 | — |
| Qgd | 게이트-투-드레인("밀러") 차지 | — |
| td(켜기) | 켜기 지연 시간 | — |
| 트르 | 상승 시간 | — |
| td(꺼짐) | 끄기 지연 시간 | — |
| tf | 가을 시간 | — |
| 엘 | 내부 소스 인덕턴스 | — |
| 씨즈 | 입력 커패시턴스 | — |
| 코스 | 출력 커패시턴스 | — |
| 십자가 | 역전사 커패시턴스 | — |
| 이스 | 단일 펄스 Avalanche Energy® | — |
장점
트랜지스터의 저렴한 비용, 유연성 및 신뢰성으로 인해 트랜지스터는 유비쿼터스 장치가 되었습니다.트랜지스터화된 메카트로닉 회로는 기기 및 기계를 제어하는 전자기계 장치를 대체했습니다.동일한 기능을 제어하는 동등한 기계 시스템을 설계하는 것보다 표준 마이크로컨트롤러를 사용하고 제어 기능을 수행하는 컴퓨터 프로그램을 작성하는 것이 종종 더 쉽고 저렴합니다.
실리콘 트랜지스터
최초의 작동하는 실리콘 트랜지스터는 1954년 1월 26일 Morris Tanenbaum에 의해 Bell 연구소에서 개발되었습니다.최초의 상용 실리콘 트랜지스터는 1954년 Texas Instruments에서 생산되었습니다. 이것은 이전에 Bell Labs에서 근무한 고순도 결정 성장 전문가인 Gordon Teal의 작업이었습니다.
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