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제품 세부 정보

Created with Pixso. Created with Pixso. 상품 Created with Pixso.
GDX2 포장업자 기계 예비 품목
Created with Pixso. 전기인 GDX2 팩커 머신 예비품 실리콘 트랜지스터 D2PAK

전기인 GDX2 팩커 머신 예비품 실리콘 트랜지스터 D2PAK

브랜드 이름: Upperbond
모델 번호: 만드는 사람
MOQ: 2 PC
가격: 협상 가능
배달 시간: 5-8 일
지불 조건: 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램, 페이팔
자세한 정보
원래 장소:
중국
인증:
CE, ISO
다른 모델들:
스코다, CME, 사스입
위치:
장식물
수량. 각각 기계에:
143
샘플:
고발됩니달 때만
날카로운 모서리:
어떤 것
해상 수송:
대량 주문 시에만
포장 세부 사항:
공급 능력:
10000 PC / 달
강조하다:

GDX2 포장업자 실리콘 트랜지스터

,

GDX2 포장업자 실리콘 트랜지스터 부분

,

GDX2 팩커 머신 실리콘 트랜지스터

제품 설명

전기인 GDX2 팩커 머신 예비품 실리콘 트랜지스터 D2PAK

트랜지스터는 전자 신호와 전력을 확대하거나 바꾸는데 사용된 반도체 디바이스입니다. 트랜지스터는 현대 전자 공학의 기본 구성 블록 중 하나입니다. 그것은 보통 적어도 3의 외부흐름길로의 접합부를 위한 단말기로 반도체 물질로 구성됩니다.

특징

오우 175' C 작동 온도

오우는 스위칭을 금식시킵니다

오우는 완전히 평가되는 것으로 압도합니다

오우 무연

오우 발전적인 프로세스 기술

오우 표면 부착 (IRFZ44NS)

오우 저자세 통공 (IRFZ44NL)

진공관

트랜지스터의 많은 유형은 다수의 제조사들에 의해 표준화된 규격으로 이루어집니다.

진공관과 비교해서, 트랜지스터는 일반적으로 작고, 적은 전력이 작동하도록 요구합니다. 어떤 진공관은 매우 높은 동작 주파수 또는 높은 동작 전압으로 트랜지스터보다 유리한 입장에 있습니다.

고주파 트랜지스터

그것이 인치 두께 중 소수의 10/1000이었을 때까지 이것들은 인듐(III) 황산염의 분사와 양쪽으로부터 n형 게르마늄 토대 안으로 식각 불황에 의해 만들어졌습니다. 불황 안으로 전해도금된 인듐은 수집기와 방출기를 형성했습니다.첫번째 고주파 트랜지스터는 최고 60까지 마하즈를 운영할 수 있는 1953년에 필코의 개발된 표면 장벽 게르마늄 트랜지스터였습니다.

전기인 GDX2 팩커 머신 예비품 실리콘 트랜지스터 D2PAK 0

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브랜드 이름: Upperbond
모델 번호: 만드는 사람
MOQ: 2 PC
가격: 협상 가능
포장에 대한 세부 사항:
지불 조건: 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램, 페이팔
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원래 장소:
중국
브랜드 이름:
Upperbond
인증:
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모델 번호:
만드는 사람
다른 모델들:
스코다, CME, 사스입
위치:
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수량. 각각 기계에:
143
샘플:
고발됩니달 때만
날카로운 모서리:
어떤 것
해상 수송:
대량 주문 시에만
최소 주문 수량:
2 PC
가격:
협상 가능
포장 세부 사항:
배달 시간:
5-8 일
지불 조건:
전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램, 페이팔
공급 능력:
10000 PC / 달
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전기인 GDX2 팩커 머신 예비품 실리콘 트랜지스터 D2PAK

트랜지스터는 전자 신호와 전력을 확대하거나 바꾸는데 사용된 반도체 디바이스입니다. 트랜지스터는 현대 전자 공학의 기본 구성 블록 중 하나입니다. 그것은 보통 적어도 3의 외부흐름길로의 접합부를 위한 단말기로 반도체 물질로 구성됩니다.

특징

오우 175' C 작동 온도

오우는 스위칭을 금식시킵니다

오우는 완전히 평가되는 것으로 압도합니다

오우 무연

오우 발전적인 프로세스 기술

오우 표면 부착 (IRFZ44NS)

오우 저자세 통공 (IRFZ44NL)

진공관

트랜지스터의 많은 유형은 다수의 제조사들에 의해 표준화된 규격으로 이루어집니다.

진공관과 비교해서, 트랜지스터는 일반적으로 작고, 적은 전력이 작동하도록 요구합니다. 어떤 진공관은 매우 높은 동작 주파수 또는 높은 동작 전압으로 트랜지스터보다 유리한 입장에 있습니다.

고주파 트랜지스터

그것이 인치 두께 중 소수의 10/1000이었을 때까지 이것들은 인듐(III) 황산염의 분사와 양쪽으로부터 n형 게르마늄 토대 안으로 식각 불황에 의해 만들어졌습니다. 불황 안으로 전해도금된 인듐은 수집기와 방출기를 형성했습니다.첫번째 고주파 트랜지스터는 최고 60까지 마하즈를 운영할 수 있는 1953년에 필코의 개발된 표면 장벽 게르마늄 트랜지스터였습니다.

전기인 GDX2 팩커 머신 예비품 실리콘 트랜지스터 D2PAK 0